可進(jìn)行樣品局部輻射干擾實(shí)驗(yàn)。以尖頭端部分為中心可以向周圍發(fā)出射頻（RF）干擾，因此可以局部對(duì)基板及IC芯片進(jìn)行抗干擾實(shí)驗(yàn)。使用頻率為3GHz，可以達(dá)到約30W干擾功率。