日本AET介電常數測試儀
日本 AET 介電常數測試儀是一款用于測量材料介電常數和介電損耗的專業儀器，以下是其詳細介紹：
產品型號及技術參數
TE 空洞共振腔型號：可測試頻率范圍為 10G-40GHz，適用于測量厚度小于 0.3mm 的薄膜。其介電常數準確度為 ±1%，介電損耗準確度為 ±5%，樣品形狀為方形片狀，不同頻率下對樣品尺寸要求不同，如 10GHz 時需大于 50mm×50mm，20GHz 時需大于 40mm×40mm，28/40GHz 時需大于 30mm×30mm1.
同軸共振腔型號：可測試頻率范圍為 800M～9.4GHz，介電常數范圍 1-15，準確度 ±1%，介電損耗范圍 0.1-0.001，準確度 ±5%。該型號共有兩種同軸共振腔，Type A 可測頻點為 0.8/2.45/4.2/5.8/7.6GHz，Type B 可測頻點為 1/3/5/7/9GHz23.
工作原理
日本 AET 介電常數測試儀利用微波技術結合高 Q 腔以及 3D 電磁場模擬技術，采用德國 CST 公司的 3D 電磁類比軟件 MW-StudioTM，測量材料的高頻介電常數，從而保證了介電常數測量結果的精確性23.
主要特點
測量穩定性高：TE 空洞共振腔有固定的間隙插入待測樣品，相比將樣品夾在諧振器中的方法，測量穩定性更優，且適用于各種材料，包括軟性和脆性樣品1.
非破壞性測量：同軸共振腔適用于不同形狀樣品的非破壞性測量，操作簡易，內置的反饋振蕩器電路可實現精確量測123.
高損耗分辨率：TE 空洞共振腔模式具有較高的損耗分辨率，尤其適合低損耗薄膜的測量1.
應用領域
主要應用于 5G 材料、高速數字 / 微波電路基底材料、濾波器、介電天線、化學制品、薄膜與新材料、半導體材料、電子材料（包括 CCL 和 PCB）、陶瓷材料、納米材料、光電材料等領域123.
符合標準
TE 空洞共振腔符合標準 JIS R1641、IPC-TM650 2.5.5.13；其他測量方法也符合如 JIS C2565、ASTM D2520、IEC 60556 等相關標準1.
日本AET介電常數測試儀
